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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm
Hoja de datos
4.442En existencias
$ 14.894,33
$ 8.177,96
$ 7.760,36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
Hoja de datos
125En existencias
$ 45.396,38
$ 34.382,23
$ 32.729,24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
Hoja de datos
1.374En existencias
$ 12.388,74
$ 8.108,36
$ 7.447,16
$ 7.290,56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm
Hoja de datos
614En existencias
Cinta cortada
$ 15.973,12
$ 11.240,34
$ 9.100,16
$ 8.073,56
Envase tipo carrete
$ 7.168,76
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 27MOHM
Hoja de datos
849En existencias
$ 45.935,77
$ 31.702,64
$ 30.937,05
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM
Hoja de datos
368En existencias
$ 17.869,71
$ 12.632,34
$ 10.526,95
$ 9.378,55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
$ 22.759,09
$ 16.964,92
$ 14.128,73
$ 12.597,54
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube