Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
STB20NM50T4
STMicroelectronics
1:
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511-STB20NM50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
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1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB45N50DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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Circuitos de supervisión Protection Device Thermal Shutdown
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STBP120AVDK6F
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1:
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511-STBP120AVDK6F
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Circuitos de supervisión Protection Device Thermal Shutdown
8.597 En existencias
1
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Administración de baterías Battery Monitor IC 32-Ram 12/14 ADC 8B
STC3100IST
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1:
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511-STC3100IST
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Administración de baterías Battery Monitor IC 32-Ram 12/14 ADC 8B
7.837 En existencias
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$ 2.706,58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
2.358 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Low voltage fast-switching NPN power transistor
STD1802T4
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1:
$ 2.013,02
23.618 En existencias
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511-STD1802T4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Low voltage fast-switching NPN power transistor
23.618 En existencias
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$ 537,93
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$ 400,91
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
STD1NK60-1
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511-STD1NK60-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
3.810 En existencias
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9.000
$ 702,02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
STD2LN60K3
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$ 2.486,67
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511-STD2LN60K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
8.786 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
STD2N62K3
STMicroelectronics
1:
$ 3.789,21
2.749 En existencias
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511-STD2N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
2.749 En existencias
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$ 3.789,21
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10.000
$ 937,15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1:
$ 4.398,19
18.121 En existencias
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511-STD47N10F7AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
18.121 En existencias
1
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25.000
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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Electronic fuse for 12 V line
STEF12SAGR
STMicroelectronics
1:
$ 1.691,61
3.576 En existencias
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511-STEF12SAGR
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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Electronic fuse for 12 V line
3.576 En existencias
1
$ 1.691,61
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$ 773,07
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Tableros y Juegos de Desarrollo - Inalámbrico Multiconnectivity asset tracking reference design based on STM32WB5MMG and STM32
STEVAL-ASTRA1B
STMicroelectronics
1:
$ 248.616,38
10 En existencias
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511-STEVAL-ASTRA1B
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Tableros y Juegos de Desarrollo - Inalámbrico Multiconnectivity asset tracking reference design based on STM32WB5MMG and STM32
10 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
STF13N95K3
STMicroelectronics
1:
$ 13.668,23
956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
956 En existencias
1
$ 13.668,23
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$ 5.717,65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
STF13NM60N
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1:
$ 9.642,19
662 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
662 En existencias
1
$ 9.642,19
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500
$ 3.620,05
1.000
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1.000
$ 3.552,39
2.000
$ 3.366,31
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
STF21N65M5
STMicroelectronics
1:
$ 9.980,52
909 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF21N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
909 En existencias
1
$ 9.980,52
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$ 4.804,18
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$ 4.229,03
1.000
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1.000
$ 3.772,30
2.000
$ 3.603,14
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF7N105K5
STMicroelectronics
1:
$ 6.732,62
1.439 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF7N105K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1.439 En existencias
1
$ 6.732,62
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500
$ 2.571,25
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Ver
1.000
$ 2.232,93
5.000
$ 2.131,43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
STF8NK100Z
STMicroelectronics
1:
$ 10.301,92
1.458 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF8NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1.458 En existencias
1
$ 10.301,92
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$ 5.430,08
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500
$ 4.127,54
1.000
Ver
1.000
$ 3.839,96
2.000
$ 3.670,80
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU13N80K5
STMicroelectronics
1:
$ 8.102,83
1.691 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
1.691 En existencias
1
$ 8.102,83
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$ 5.311,67
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$ 3.890,71
500
$ 3.214,06
1.000
Ver
1.000
$ 2.808,08
2.000
$ 2.791,16
5.000
$ 2.757,33
25.000
Presupuesto
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Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A dual gate driver
STGAP2HDMTR
STMicroelectronics
1:
$ 13.769,73
1.673 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2HDMTR
STMicroelectronics
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A dual gate driver
1.673 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 13.769,73
10
$ 10.657,16
25
$ 9.879,02
100
$ 9.033,21
1.000
$ 7.832,17
2.000
Ver
250
$ 8.407,32
2.000
$ 7.730,67
5.000
Presupuesto
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1.000
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
STGAP2HSCMTR
STMicroelectronics
1:
$ 4.770,35
2.934 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2HSCMTR
STMicroelectronics
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
2.934 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 4.770,35
10
$ 3.569,30
25
$ 3.180,23
100
$ 2.926,49
1.000
$ 2.486,67
2.000
Ver
250
$ 2.774,25
500
$ 2.689,66
2.000
$ 2.402,09
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
STGAP2HSMTR
STMicroelectronics
1:
$ 9.692,94
1.325 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2HSMTR
STMicroelectronics
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
1.325 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 9.692,94
10
$ 7.409,27
25
$ 6.698,79
100
$ 6.225,14
250
Ver
1.000
$ 5.091,76
250
$ 5.937,56
500
$ 5.836,07
1.000
$ 5.091,76
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Carrete :
1.000
Detalles
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
+4 imágenes
STGD4M65DF2
STMicroelectronics
1:
$ 2.672,75
5.000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD4M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
5.000 En existencias
1
$ 2.672,75
10
$ 1.544,44
100
$ 1.101,24
500
$ 879,64
2.500
$ 608,98
5.000
Ver
1.000
$ 801,82
5.000
$ 605,60
10.000
$ 588,68
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2.500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
1:
$ 8.373,48
1.244 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
1.244 En existencias
1
$ 8.373,48
10
$ 5.193,25
100
$ 3.907,63
500
$ 3.400,14
1.000
$ 2.994,16
2.000
$ 2.689,66
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Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
1:
$ 12.517,94
753 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
753 En existencias
1
$ 12.517,94
10
$ 8.458,07
100
$ 6.140,56
500
$ 5.852,98
1.000
$ 4.838,01
2.000
$ 4.770,35
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición SLLIMM nano IPM, 3-phase inverter, 2 A, 1.7 Ohm max., 500 V, MOSFET
STIPNS2M50T-H
STMicroelectronics
1:
$ 14.344,88
1.540 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STIPNS2M50T-H
STMicroelectronics
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición SLLIMM nano IPM, 3-phase inverter, 2 A, 1.7 Ohm max., 500 V, MOSFET
1.540 En existencias
1
$ 14.344,88
10
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25
$ 10.318,84
100
$ 9.185,46
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$ 7.612,26
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Ver
250
$ 8.305,82
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4.800
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
400
Detalles