Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
NCV81071AZR2G
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
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Optoacopladores de alta velocidad 25MBd 6ns PWD
ACPL-772L-520E
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Optoacopladores de alta velocidad 25MBd 6ns PWD
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQS460ENW-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Controladores de puertas 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
IX4428NTR
IXYS Integrated Circuits
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IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIATR
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IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
FDC608PZ
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N.º de artículo de Mouser 512-FDC608PZ
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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Controladores de conmutación 560VIN Micropower, Isolated No-Opto Flyb
360°
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LT8316IFE#PBF
Analog Devices
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Analog Devices
Controladores de conmutación 560VIN Micropower, Isolated No-Opto Flyb
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Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
LTC1871IMS-7#PBF
Analog Devices
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N.º de artículo de Mouser 584-LTC1871IMS-7#PBF
Analog Devices
Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
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Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
IXYS
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IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
SISH101DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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9.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
143.250 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
12.125 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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67.719 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
67.719 En existencias
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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NVHL160N120SC1
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NVHL160N120SC1
onsemi
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
2.423 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R140CP
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB50R140CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
IXFN132N50P3
IXYS
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N.º de artículo de Mouser 747-IXFN132N50P3
IXYS
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
415 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
+2 imágenes
SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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71.206 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
71.206 En existencias
Embalaje alternativo
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Carrete :2.500
Detalles
