Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3.936En existencias
Cinta cortada
$ 4.645,78
$ 2.279,39
$ 2.053,19
$ 1.639,07
Ver
Envase tipo carrete
$ 1.433,75
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance 4.712En existencias
Cinta cortada
$ 5.080,77
$ 2.522,99
$ 2.261,99
$ 1.826,99
Ver
Envase tipo carrete
$ 1.407,65
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 94.218En existencias
95.000Se espera el 4/3/2027
Cinta cortada
$ 2.696,99
$ 1.268,45
$ 1.129,25
$ 883,92
$ 840,42
Envase tipo carrete
$ 675,12
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 32.057En existencias
5.000Se espera el 13/10/2026
Cinta cortada
$ 3.532,18
$ 2.244,59
$ 1.757,39
$ 1.416,35
Ver
Envase tipo carrete
$ 1.139,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 1.614En existencias
31.000En pedido
Cinta cortada
$ 3.740,98
$ 1.966,19
$ 1.545,11
$ 1.224,95
Envase tipo carrete
$ 955,26
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 203En existencias
30.000Se espera el 8/4/2027
Cinta cortada
$ 4.349,98
$ 2.488,19
$ 1.879,19
$ 1.510,31
Ver
Envase tipo carrete
$ 1.247,57
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 738En existencias
50.000En pedido
Cinta cortada
$ 1.896,59
$ 1.151,87
$ 810,84
$ 584,64
Ver
Envase tipo carrete
$ 334,08
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
39.863En pedido
Cinta cortada
$ 5.794,17
$ 3.392,98
$ 2.696,99
$ 2.314,19
Ver
Envase tipo carrete
$ 1.948,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
168.348En pedido
Cinta cortada
$ 2.244,59
$ 1.195,37
$ 894,36
$ 716,88
$ 689,04
Envase tipo carrete
$ 513,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
14.976En pedido
Cinta cortada
$ 3.549,58
$ 1.706,93
$ 1.527,71
$ 1.303,25
$ 1.211,03
Envase tipo carrete
$ 993,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel