CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

Resultados: 53
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.490En existencias
Cinta cortada
$ 59.490,31
$ 44.421,98
$ 43.029,99
$ 39.689,20
Envase tipo carrete
$ 39.689,20
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.740En existencias
Cinta cortada
$ 26.221,67
$ 15.329,32
$ 14.494,13
Envase tipo carrete
$ 14.494,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
156En existencias
1.000Se espera el 23/11/2026
Cinta cortada
$ 42.960,39
$ 28.883,86
$ 28.866,46
Envase tipo carrete
$ 27.335,26
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
708En existencias
Cinta cortada
$ 24.464,28
$ 14.006,93
Envase tipo carrete
$ 13.258,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
280En existencias
Cinta cortada
$ 22.637,29
$ 13.589,33
$ 13.293,53
$ 12.493,14
Envase tipo carrete
$ 11.014,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
416En existencias
Cinta cortada
$ 14.528,93
$ 8.264,96
$ 7.603,76
$ 7.290,56
Envase tipo carrete
$ 6.333,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
788En existencias
Cinta cortada
$ 12.684,54
$ 6.785,97
$ 6.211,77
$ 5.898,57
Envase tipo carrete
$ 5.585,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
741En existencias
Cinta cortada
$ 33.216,44
$ 20.792,90
$ 20.392,70
Envase tipo carrete
$ 19.679,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
469En existencias
Cinta cortada
$ 28.727,26
$ 17.260,71
$ 16.321,12
Envase tipo carrete
$ 16.321,12
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
804En existencias
Cinta cortada
$ 11.396,94
$ 6.037,77
$ 5.515,77
$ 4.837,18
Envase tipo carrete
$ 4.837,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
152En existencias
2.000Se espera el 8/7/2027
Cinta cortada
$ 41.620,59
$ 27.735,46
$ 27.718,06
$ 26.256,47
Envase tipo carrete
$ 26.256,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
4.051En existencias
Cinta cortada
$ 20.270,90
$ 11.344,74
$ 10.961,95
$ 10.370,35
Envase tipo carrete
$ 10.370,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2.848En existencias
Cinta cortada
$ 12.823,74
$ 8.665,16
$ 6.298,77
$ 5.985,57
$ 5.602,77
Envase tipo carrete
$ 5.602,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
685En existencias
Cinta cortada
$ 11.640,54
$ 6.194,37
$ 5.654,97
$ 4.976,38
Envase tipo carrete
$ 4.976,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.958En existencias
Cinta cortada
$ 21.662,89
$ 14.685,53
$ 13.450,13
$ 12.232,14
$ 11.797,14
Envase tipo carrete
$ 11.344,74
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2
Hoja de datos
1.658En existencias
Cinta cortada
$ 18.844,11
$ 10.474,75
$ 9.952,75
$ 9.413,35
Envase tipo carrete
$ 9.413,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2.027En existencias
Cinta cortada
$ 10.840,15
$ 5.724,57
$ 5.689,77
$ 4.471,78
Envase tipo carrete
$ 4.471,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
476En existencias
$ 14.737,73
$ 7.882,16
$ 7.255,76
$ 6.263,97
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
10.334En existencias
Cinta cortada
$ 25.386,47
$ 14.702,93
$ 13.902,53
Envase tipo carrete
$ 13.902,53
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
14En existencias
3.750En pedido
Cinta cortada
$ 45.535,57
$ 35.826,42
$ 31.528,64
$ 28.257,46
Envase tipo carrete
$ 28.257,46
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
21En existencias
2.000Se espera el 29/4/2027
Cinta cortada
$ 24.760,08
$ 16.112,32
$ 14.441,93
$ 13.989,53
Envase tipo carrete
$ 12.475,74
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
39En existencias
4.000Se espera el 6/5/2027
Cinta cortada
$ 15.259,72
$ 8.264,96
$ 7.586,36
$ 7.394,96
$ 6.977,37
Envase tipo carrete
$ 6.524,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.064En existencias
Cinta cortada
$ 32.503,04
$ 20.218,70
Envase tipo carrete
$ 19.139,91
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.705En existencias
Cinta cortada
$ 26.204,27
$ 15.311,92
$ 14.494,13
Envase tipo carrete
$ 14.494,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Hoja de datos
889En existencias
1.800Se espera el 3/6/2027
Cinta cortada
$ 19.818,50
$ 11.083,75
$ 10.648,75
$ 10.074,55
Envase tipo carrete
$ 10.074,55
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC