CoolSIC MOSFETs de SiC

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
909En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
599En existencias
960Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
128En existencias
480Se espera el 10/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
10En existencias
1.440En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
4.353Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC