Resultados: 36
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.953En existencias
$ 12.040,74
$ 6.420,57
$ 5.863,77
$ 4.924,18
$ 4.871,98
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.677En existencias
$ 11.344,74
$ 7.742,96
$ 6.803,37
$ 6.751,17
$ 6.716,37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
Hoja de datos
2.043En existencias
$ 6.855,57
$ 3.566,98
$ 3.218,98
$ 2.644,79
$ 2.383,79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
Hoja de datos
476En existencias
$ 19.540,10
$ 10.961,95
$ 10.840,15
$ 9.691,75
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
Hoja de datos
170En existencias
1.200Se espera el 30/4/2027
$ 8.421,56
$ 4.819,78
$ 3.079,78
$ 3.062,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms 25 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH
Hoja de datos
5.749En existencias
$ 7.412,36
$ 3.775,78
$ 3.427,78
$ 3.044,98
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 279 mOhms 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
1.583En existencias
1.550Se espera el 23/4/2027
$ 14.807,33
$ 8.038,76
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 90
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.358En existencias
$ 18.617,91
$ 10.335,55
$ 9.535,15
$ 9.274,15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Hoja de datos
805En existencias
1.000En pedido
$ 11.744,94
$ 6.246,57
$ 5.707,17
$ 5.306,97
$ 5.028,58
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.790En existencias
$ 10.091,95
$ 5.585,37
$ 4.941,58
$ 4.141,18
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
364En existencias
$ 22.289,29
$ 14.824,73
$ 13.937,33
$ 12.580,14
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
Hoja de datos
1.416En existencias
4.200Se espera el 30/4/2027
$ 30.032,25
$ 17.295,51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 29 mOhms 25 V 3 V 204 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
Hoja de datos
881En existencias
$ 4.889,38
$ 2.401,19
$ 2.157,59
$ 1.736,51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
Hoja de datos
667En existencias
$ 6.072,57
$ 3.532,18
$ 2.731,79
$ 2.279,39
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.5 A 430 mOhms 25 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Hoja de datos
251En existencias
2.000Se espera el 5/3/2027
$ 9.691,75
$ 5.045,98
$ 4.593,58
$ 3.810,58
$ 3.775,78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
18En existencias
300En pedido
$ 28.414,06
$ 16.129,72
$ 14.111,33
$ 13.902,53
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
Hoja de datos
154En existencias
$ 7.342,76
$ 4.802,38
$ 3.584,38
$ 2.992,79
$ 2.783,99
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
Hoja de datos
328En existencias
$ 14.441,93
$ 8.038,76
$ 7.377,56
$ 6.385,77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
Hoja de datos
117En existencias
$ 8.612,96
$ 5.637,57
$ 4.210,78
$ 3.514,78
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
400En existencias
1.000Se espera el 23/4/2027
$ 11.101,15
$ 5.863,77
$ 5.359,17
$ 4.628,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Hoja de datos
5En existencias
$ 12.475,74
$ 7.899,56
$ 6.350,97
$ 5.654,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
13En existencias
1.200Se espera el 16/4/2027
$ 16.790,92
$ 10.300,75
$ 8.891,36
$ 8.177,96
$ 7.951,76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
226En existencias
600Se espera el 5/7/2027
$ 18.948,51
$ 11.623,14
$ 10.196,35
$ 8.665,16
$ 8.456,36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Hoja de datos
651Se espera el 23/7/2027
$ 61.125,90
$ 47.275,57
$ 44.178,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
Hoja de datos
4.064En pedido
$ 66.937,47
$ 55.905,92
$ 52.756,54
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 138 A 15 mOhms 25 V 4 V 414 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube