Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 20

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh STB18NM80 STMicroelectronics 1: $ 10.213,75 1.316En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB18NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STB18NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1.316En existencias	Cinta cortada $ 10.213,75 $ 5.359,17 $ 4.889,38 $ 4.436,98 Envase tipo carrete $ 4.141,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	295 mOhms	30 V	5 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV STL13N60M6 STMicroelectronics 1: $ 4.854,58 2.784En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL13N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STL13N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	2.784En existencias	Cinta cortada $ 4.854,58 $ 2.401,19 $ 2.122,79 $ 1.722,59 $ 1.592,09 Envase tipo carrete $ 1.428,53	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-4	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	415 mOhms	25 V	3.25 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STB28N60M2 STMicroelectronics 1: $ 4.854,58 1.842En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1.842En existencias	Cinta cortada $ 4.854,58 $ 2.401,19 $ 2.157,59 $ 1.731,29 Envase tipo carrete $ 1.512,05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	150 mOhms	25 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	170 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package STB40N60M2 STMicroelectronics 1: $ 10.961,95 919En existencias 1.000Se espera el 29/1/2027	N.º de artículo del Fabricante STB40N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STB40N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	919En existencias 1.000Se espera el 29/1/2027	Cinta cortada $ 10.961,95 $ 5.794,17 $ 5.289,57 $ 5.132,97 Envase tipo carrete $ 4.593,58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	34 A	88 mOhms	25 V	3 V	57 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STI28N60M2 STMicroelectronics 1: $ 7.029,57 1.811En existencias	N.º de artículo del Fabricante STI28N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STI28N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	1.811En existencias	$ 7.029,57 $ 3.619,18 $ 3.288,58 $ 2.749,19 Ver $ 2.575,19 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	135 mOhms	25 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	170 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 STL33N60M2 STMicroelectronics 1: $ 9.013,16 1.487En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL33N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STL33N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1.487En existencias	Cinta cortada $ 9.013,16 $ 6.768,57 $ 5.045,98 $ 4.228,18 $ 3.932,38 Envase tipo carrete $ 3.671,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	21.5 A	135 mOhms	25 V	3 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STB33N60M2 STMicroelectronics 1: $ 8.908,76 887En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB33N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	887En existencias	Cinta cortada $ 8.908,76 $ 5.533,17 $ 4.732,78 $ 3.967,18 Envase tipo carrete $ 3.479,98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	125 mOhms	25 V	3 V	45.5 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package STD5N60M2 STMicroelectronics 1: $ 3.340,78 4.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	4.000En existencias	Cinta cortada $ 3.340,78 $ 1.792,19 $ 1.378,07 $ 1.092,71 Envase tipo carrete $ 885,66 Ver $ 1.068,35 $ 833,46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	3.5 A	1.4 Ohms	25 V	3 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 STL9N60M2 STMicroelectronics 1: $ 4.175,98 4.880En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL9N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STL9N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	4.880En existencias	Cinta cortada $ 4.175,98 $ 2.035,79 $ 1.826,99 $ 1.454,63 $ 1.414,61 Envase tipo carrete $ 1.242,35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-8	N-Channel	1 Channel	600 V	4.8 A	860 mOhms	25 V	3 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	48 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh STP18NM80 STMicroelectronics 1: $ 15.137,93 639En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP18NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STP18NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	639En existencias	$ 15.137,93 $ 8.247,56 $ 7.568,96 $ 7.064,37	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	295 mOhms	30 V	3 V	70 nC	- 65 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh STW18NM80 STMicroelectronics 1: $ 16.321,12 386En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW18NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STW18NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	386En existencias	$ 16.321,12 $ 10.265,95 $ 9.013,16 $ 7.586,36	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	295 mOhms	30 V	3 V	70 nC	- 65 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A STD7NM80 STMicroelectronics 1: $ 8.421,56 523En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD7NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STD7NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	523En existencias	Cinta cortada $ 8.421,56 $ 4.349,98 $ 3.949,78 $ 3.410,38 $ 3.375,58 Envase tipo carrete $ 3.149,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	6.5 A	1.05 Ohms	30 V	4 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh STF18NM80 STMicroelectronics 1: $ 15.764,32 1En existencias 2.000Se espera el 28/5/2027	N.º de artículo del Fabricante STF18NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STF18NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1En existencias 2.000Se espera el 28/5/2027	$ 15.764,32 $ 8.317,16 $ 7.655,96 $ 7.151,36	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	250 mOhms	30 V	3 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package STFW38N65M5 STMicroelectronics 1: $ 12.736,74 77En existencias	N.º de artículo del Fabricante STFW38N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STFW38N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	77En existencias	$ 12.736,74 $ 8.525,96 $ 5.811,57 $ 5.794,17 $ 5.393,97	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	95 mOhms	25 V	4 V	71 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 STL10N60M6 STMicroelectronics 1: $ 4.454,38 1.140En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL10N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STL10N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	1.140En existencias	Cinta cortada $ 4.454,38 $ 2.575,19 $ 1.948,79 $ 1.646,03 $ 1.456,37 Envase tipo carrete $ 1.325,87	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-4	N-Channel	1 Channel	600 V	5.5 A	660 mOhms	25 V	3.25 V	8.8 nC	- 55 C	+ 150 C	48 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh STP18NM60N STMicroelectronics 1: $ 6.594,57 2.000Se espera el 28/5/2027	N.º de artículo del Fabricante STP18NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STP18NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	2.000Se espera el 28/5/2027	$ 6.594,57 $ 3.375,58 $ 2.836,19 $ 2.470,79 $ 2.453,39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	260 mOhms	25 V	2 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected STU8N80K5 STMicroelectronics 1: $ 5.428,77 400En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU8N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STU8N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	400En existencias	$ 5.428,77 $ 2.540,39 $ 2.296,79 $ 1.966,19 Ver $ 1.896,59 $ 1.774,79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	950 mOhms	30 V	4 V	16.5 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 STP8N80K5 STMicroelectronics 1.000: $ 2.000,99 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STP8N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STP8N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	$ 2.000,99 $ 1.983,59 $ 1.861,79	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	950 mOhms	30 V	4 V	16.5 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET STF7NM80 STMicroelectronics 1.000: $ 3.671,38 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STF7NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STF7NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	$ 3.671,38 $ 3.584,38 $ 3.549,58	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6.5 A	1.05 Ohms	30 V	4 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package STI33N60M2 STMicroelectronics 1.000: $ 3.044,98 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STI33N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STI33N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	$ 3.044,98 $ 2.992,79 $ 2.870,99	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	125 mOhms	25 V	3 V	45.5 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

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