MOSFET de potencia para aplicaciones específicas

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.

Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 100V 430A
Hoja de datos
1.356En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 100V 460A
Hoja de datos
825En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 100V 430A
Hoja de datos
469En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 N-CH 80V 495A
Hoja de datos
615En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 100V 460A
Hoja de datos
41En existencias
1.000Se espera el 2/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R3-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Hoja de datos
155En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Hoja de datos
120En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 N-CH 80V 505A
Hoja de datos
116En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8005 N-CH 80V 505A
Hoja de datos
173En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
245En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
245En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
246En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8005 N-CH 80V 495A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel