MOSFET de potencia para aplicaciones específicas

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.

Resultados: 13
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12 104En existencias
Cinta cortada
$ 14.981,33
$ 8.143,16
$ 7.481,96
$ 7.360,16
Envase tipo carrete
$ 6.959,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R3-100ASF/SOT8000A/CCPAK1 133En existencias
Cinta cortada
$ 15.886,12
$ 8.230,16
$ 8.021,36
$ 7.447,16
Envase tipo carrete
$ 6.959,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.3 mOhms 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1 1.859En existencias
Cinta cortada
$ 21.106,10
$ 15.259,72
$ 12.719,34
$ 11.327,34
Envase tipo carrete
$ 9.622,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 1.04 mOhms 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12 306En existencias
1.000Se espera el 5/4/2027
Cinta cortada
$ 20.758,10
$ 11.657,94
$ 11.309,94
Envase tipo carrete
$ 10.700,95
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 850 uOhms 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12 235En existencias
Cinta cortada
$ 15.538,12
$ 10.596,55
$ 7.795,16
Envase tipo carrete
$ 7.220,96
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.11 mOhms 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80CSF/SOT8005A/CCPAK12 216En existencias
Cinta cortada
$ 15.538,12
$ 10.596,55
$ 7.795,16
Envase tipo carrete
$ 7.412,36
$ 7.342,76
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.16 mOhms 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 235En existencias
Cinta cortada
$ 14.581,13
$ 9.900,55
$ 7.255,76
$ 7.099,16
Envase tipo carrete
$ 6.716,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSF/SOT8005A/CCPAK1 246En existencias
Cinta cortada
$ 15.120,53
$ 10.300,75
$ 7.568,96
Envase tipo carrete
$ 7.151,36
$ 7.081,76
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.35 mOhms 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12 48En existencias
1.000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
$ 21.314,89
$ 12.353,94
$ 11.623,14
$ 11.605,74
Envase tipo carrete
$ 10.561,75
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 900 uOhms 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 13En existencias
2.000En pedido
Cinta cortada
$ 20.410,10
$ 14.511,53
$ 12.092,94
$ 10.787,95
Envase tipo carrete
$ 10.196,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12 31En existencias
1.000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
$ 14.250,53
$ 9.430,75
$ 7.586,36
$ 6.768,57
Envase tipo carrete
$ 6.037,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1 6En existencias
1.000Se espera el 18/11/2026
Cinta cortada
$ 15.451,12
$ 10.422,55
$ 8.438,96
$ 7.499,36
Envase tipo carrete
$ 6.716,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
2.790Se espera el 3/9/2027
Cinta cortada
$ 20.062,10
$ 14.511,53
$ 12.092,94
$ 10.787,95
Envase tipo carrete
$ 10.196,35
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel