Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Se espera el 27/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C