Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
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SMD/SMT

DFN-5

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40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

455 A

490 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

278 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

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NTMFS2D5N08XT1G
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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

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NTMFS3D5N08XT1G
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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

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$ 1.769,04

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

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NTMFS0D7N04XLT1G
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NTMFS0D7N04XLT1G

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DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

349 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

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Reel, Cut Tape

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$ 2.358,72

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$ 638,82

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SMD/SMT

DFN-5

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40 V

83 A

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3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

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Reel, Cut Tape

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NTMFS0D9N04XMT1G
onsemi
1: $ 4.242,42
90En existencias
3.000Se espera el 24/4/2026

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NTMFS0D9N04XMT1G

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863-NTMFS0D9N04XMT1G

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3.000Se espera el 24/4/2026

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$ 4.242,42

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$ 1.506,96

Envase tipo carrete

$ 1.506,96

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

273 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: $ 4.979,52
2.997Se espera el 23/2/2026

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NTMFS2D1N08XT1G

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863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

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$ 4.979,52

$ 3.243,24

$ 2.244,06

$ 1.883,70

$ 1.601,96

Envase tipo carrete

$ 1.526,62

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

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Reel, Cut Tape

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