Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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Resultados: 19

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: $ 11.466,00
1.008En existencias

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STP45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

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1.008En existencias

$ 11.466,00

$ 8.468,46

$ 6.846,84

$ 6.093,36

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW45N60DM6
STMicroelectronics
1: $ 13.513,50
357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N60DM6

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511-STW45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

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357En existencias

$ 13.513,50

$ 7.977,06

$ 5.962,32

$ 5.945,94

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 11.269,44
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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816En existencias

Cinta cortada

$ 11.269,44

$ 7.911,54

$ 5.913,18

Envase tipo carrete

$ 4.586,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 12.235,86
1.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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1.000En existencias

Cinta cortada

$ 12.235,86

$ 8.337,42

$ 6.322,68

Envase tipo carrete

$ 5.339,88

$ 5.077,80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60DM6
STMicroelectronics
1: $ 4.488,12
2.369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2.369En existencias

Cinta cortada

$ 4.488,12

$ 2.899,26

$ 2.063,88

$ 1.703,52

Envase tipo carrete

$ 1.338,25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

390 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

STL52N60DM6
STMicroelectronics
1: $ 10.106,46
1.501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

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1.501En existencias

Cinta cortada

$ 10.106,46

$ 7.731,36

$ 6.257,16

$ 5.569,20

$ 4.782,96

Envase tipo carrete

$ 4.291,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

600 V

45 A

84 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N65DM6
STMicroelectronics
1: $ 23.095,80
407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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407En existencias

$ 23.095,80

$ 17.149,86

$ 14.905,80

$ 13.333,32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW75N65DM6-4
STMicroelectronics
1: $ 22.293,18
556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N65DM6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N65DM6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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556En existencias

$ 22.293,18

$ 16.478,28

$ 14.529,06

$ 14.283,36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 10.647,00
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STHU47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

59En existencias

Cinta cortada

$ 10.647,00

$ 7.502,04

$ 5.405,40

Envase tipo carrete

$ 5.176,08

$ 4.995,90

$ 4.914,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 Ohms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 31.220,28
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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Hoja de datos

192En existencias

Cinta cortada

$ 31.220,28

$ 22.309,56

$ 17.411,94

Envase tipo carrete

$ 17.411,94

$ 17.395,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 200

N-Channel

650 V

64 A

35 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 27.567,54
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH32N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

$ 27.567,54

$ 21.277,62

$ 13.316,94

Envase tipo carrete

$ 13.316,94

$ 13.300,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 200

N-Channel

650 V

32 A

89 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB41N40DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 11.891,88
439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB41N40DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB41N40DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

439En existencias

Cinta cortada

$ 11.891,88

$ 8.058,96

$ 6.044,22

Envase tipo carrete

$ 4.930,38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

41 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N50DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 10.417,68
995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB47N50DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N50DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

995En existencias

Cinta cortada

$ 10.417,68

$ 7.977,06

$ 6.453,72

$ 5.733,00

Envase tipo carrete

$ 4.914,00

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60DM6
STMicroelectronics
1: $ 4.586,40
733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

733En existencias

Cinta cortada

$ 4.586,40

$ 2.981,16

$ 2.047,50

$ 1.687,14

$ 1.592,14

Envase tipo carrete

$ 1.382,47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

338 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

15.3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STW68N65DM6-4AG
STMicroelectronics
1: $ 18.427,50
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW68N65DM6-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

7En existencias

$ 18.427,50

$ 11.171,16

$ 10.876,32

$ 10.859,94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

72 A

39 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 8.009,82
1.200Se espera el 23/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
STHU32N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

1.200Se espera el 23/3/2026

Cinta cortada

$ 8.009,82

$ 5.618,34

$ 4.848,48

Envase tipo carrete

$ 4.651,92

$ 4.471,74

$ 4.406,22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

37 A

97 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52.6 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STI47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: $ 11.613,42
31En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STI47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

31En existencias

$ 11.613,42

$ 8.583,12

$ 6.945,12

$ 6.224,40

$ 5.274,36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

I2PAK-3

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU36N60DM6AG
STMicroelectronics
600: $ 4.422,60
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STHU36N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU36N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

$ 4.422,60

$ 4.258,80

$ 4.193,28

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STH30N65DM6-7AG
STMicroelectronics
1.000: $ 5.077,80
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH30N65DM6-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH30N65DM6-7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

$ 5.077,80

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

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