Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs

Nexperia PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs are designed for high-efficiency power management in various applications. These Nexperia MOSFETs feature low on-state resistance [R_DS(on)], ranging from 2.8mΩ to 14mΩ, and support 60V and 100V drain-source voltages (V_DS). These MOSFETs are optimized for logic level compatibility and are suitable for secondary side synchronous rectification, DC-to-DC converters, motor drives, load switching, and LED lighting. These MOSFETs are housed in thermally efficient MLPAK33 and MLPAK56 packages, which offer a compact footprint and enhanced thermal performance. With features like low gate charge (Qg) and high avalanche ruggedness, the PXNx series ensures reliable operation in demanding environments.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 14 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33

PXN014-60QLAJ
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SMD/SMT

MLPAK33-8

N-Channel

1 Channel

60 V

39 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 11 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33

PXN011-60QLAJ
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Mult.: 1
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SMD/SMT

MLPAK33-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 2.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK56

PXN2R8-100RLJ
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SMD/SMT

MLPAK56-8

N-Channel

1 Channel

100 V

184 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 2.9 mOhm, standard level Trench MOSFET in MLPAK56

PXN2R9-100RSJ
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SMD/SMT

MLPAK56-8

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 5.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33

PXN5R7-60QLAJ
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SMD/SMT

MLPAK33-8

N-Channel

1 Channel

60 V

83 A

5.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

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PXN6R2-60QLAJ
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SMD/SMT

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N-Channel

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60 V

77 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

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PXN6R8-60QLAJ
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MLPAK33-8

N-Channel

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60 V

70 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

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PXN7R7-60QLAJ
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62 A

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2.2 V

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- 55 C

+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 9.1 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33

PXN9R1-60QLAJ
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