Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs utilize ST's proprietary trench-based low voltage technology, achieving extremely low conduction losses. These STMicroelectronics power MOSFETs minimize the energy normally lost in electrical drives, leading to greater efficiency and making them suitable for many applications. Housed in industry-standard TO-252 and TO-263 SMD packages with R_DS(on) ranging from 3mΩ to 12.5mΩ, these devices perform well in most low-voltage automotive applications. This product range includes both standard and logic-level thresholds.

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET

STD155N3LH6
STMicroelectronics
1: $ 3.865,68
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD155N3LH6

N.º de artículo de Mouser
511-STD155N3LH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET

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$ 2.489,76

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$ 1.099,10

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

STB120N4F6
STMicroelectronics
1: $ 4.242,42
2.295En existencias

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STB120N4F6

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511-STB120N4F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

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2.295En existencias

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$ 4.242,42

$ 2.735,46

$ 1.883,70

$ 1.505,32

Envase tipo carrete

$ 1.356,26

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

STD120N4LF6
STMicroelectronics
1: $ 4.471,74
3.836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD120N4LF6

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511-STD120N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

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$ 4.471,74

$ 2.899,26

$ 1.998,36

$ 1.616,71

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$ 1.339,88

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

STD80N4F6
STMicroelectronics
1: $ 1.621,62
3.003En existencias

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STD80N4F6

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511-STD80N4F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

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Cinta cortada

$ 1.621,62

$ 1.561,01

$ 1.415,23

$ 1.271,09

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$ 1.074,53

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK

STB155N3LH6
STMicroelectronics
1: $ 4.881,24
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB155N3LH6

N.º de artículo de Mouser
511-STB155N3LH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK

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Cinta cortada

$ 4.881,24

$ 3.161,34

$ 2.260,44

$ 1.900,08

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$ 1.592,14

$ 1.443,08

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

STB120N4LF6
STMicroelectronics
1: $ 4.684,68
1.490Se espera el 4/1/2027

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STB120N4LF6

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511-STB120N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

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1.490Se espera el 4/1/2027

Cinta cortada

$ 4.684,68

$ 3.030,30

$ 2.096,64

$ 1.818,18

Envase tipo carrete

$ 1.556,10

$ 1.371,01

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Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

STD96N3LLH6
STMicroelectronics
1: $ 2.571,66
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD96N3LLH6

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511-STD96N3LLH6

STMicroelectronics

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

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$ 776,41

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$ 694,51

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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80 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

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STripFET

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