Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NXH020U90MNF2PTG

Name: onsemi NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020U90MNF2PTG
Price: 271285.56 ARS
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NXH020U90MNF2PTG

Fabricante N.º:

NXH020U90MNF2PTG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

Hoja de datos:

NXH020U90MNF2PTG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NXH020U90MNF2PTG

En existencias: 49

Existencias:: 49 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$ -,--

Precio ext.:

$ -,--

Est. Tarifa:

Precio (ARS)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$ 271.285,56	$ 271.285,56
	$ 246.158,64	$ 2.461.586,40
100	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	900 V
Id - Corriente de drenaje continua:	149 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	352 W
Serie:	NXH020U90MNF2
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual Common Source
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	19.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	SiC MOSFET Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	43.2 ns
Vf - Tensión directa:	2.3 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NXH020U90MNF2PTG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

NXH020U90MNF2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH020U90MNF2 Silicon Carbide (SiC) Modules are Vienna SiC modules with 2x 10mohm 900V SiC MOSFET switches. The onsemi devices also have 2x 100A 1200V SiC diodes and a thermistor. The NXH020U90MNF2 is housed in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M2 technology and are driven with a 15V to 18V gate drive.