Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 2.407,86
3.949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P03P4L11ATMA2

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726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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3.949En existencias

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$ 1.413,59

$ 1.056,51

$ 866,50

$ 787,88

Envase tipo carrete

$ 625,72

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

13 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 6.011,46
5.936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

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5.936En existencias

Cinta cortada

$ 6.011,46

$ 3.931,20

$ 2.751,84

$ 2.424,24

Envase tipo carrete

$ 2.080,26

$ 1.965,60

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 6.060,60
823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P4L03ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P4L03A2

Infineon Technologies

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823En existencias

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$ 6.060,60

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$ 3.095,82

$ 2.588,04

Envase tipo carrete

$ 2.211,30

$ 2.113,02

MouseReel Disponible

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

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- 16 V, 5 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB180P04P403ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 6.732,18
3.340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P403ATMA2

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726-IPB180P04P403ATM

Infineon Technologies

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$ 6.732,18

$ 4.406,22

$ 3.308,76

$ 2.932,02

Envase tipo carrete

$ 2.506,14

$ 2.358,72

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 6.764,94
1.164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$ 6.764,94

$ 4.455,36

$ 3.144,96

$ 2.850,12

Envase tipo carrete

$ 2.309,58

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD50P04P413ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 2.653,56
5.700En existencias

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IPD50P04P413ATMA2

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726-IPD50P04P413ATM

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$ 2.653,56

$ 1.687,14

$ 1.126,94

$ 886,16

Envase tipo carrete

$ 724,00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

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IPD50P04P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 2.817,36
6.002En existencias
10.000Se espera el 16/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P4L11AT2

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6.002En existencias

10.000Se espera el 16/2/2026

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$ 2.817,36

$ 1.785,42

$ 1.197,38

$ 981,16

Envase tipo carrete

$ 789,52

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

12.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

45 nC

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+ 175 C

58 W

Enhancement

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IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.226,86
3.916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

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$ 2.047,50

$ 1.371,01

$ 1.123,67

Envase tipo carrete

$ 904,18

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Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.325,14
16.327En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P4L08ATM

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$ 2.113,02

$ 1.410,32

$ 1.156,43

Envase tipo carrete

$ 930,38

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

9.5 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.063,06
16.985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80P03P4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80P03P4L07AT2

Infineon Technologies

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$ 3.063,06

$ 1.932,84

$ 1.323,50

$ 1.063,06

Envase tipo carrete

$ 850,12

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

8.7 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.472,56
3.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P404ATM2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$ 3.472,56

$ 2.440,62

$ 1.818,18

$ 1.505,32

$ 1.498,77

Envase tipo carrete

$ 1.257,98

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 4.242,42
6.208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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6.208En existencias

Cinta cortada

$ 4.242,42

$ 2.784,60

$ 1.916,46

$ 1.541,36

Envase tipo carrete

$ 1.285,83

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.1 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 4.127,76
6.911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

Infineon Technologies

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6.911En existencias

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$ 4.127,76

$ 2.440,62

$ 1.883,70

$ 1.561,01

Envase tipo carrete

$ 1.334,97

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 4.766,58
2.381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2.381En existencias

Cinta cortada

$ 4.766,58

$ 3.374,28

$ 2.342,34

$ 2.047,50

Envase tipo carrete

$ 1.703,52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 4.209,66
1.173En existencias
2.500Se espera el 2/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1.173En existencias

2.500Se espera el 2/3/2026

Cinta cortada

$ 4.209,66

$ 2.833,74

$ 2.702,70

$ 1.981,98

Envase tipo carrete

$ 1.352,99

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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