Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 15

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.011,07
3.860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P03P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.860En existencias

Cinta cortada

$ 3.011,07

$ 1.759,28

$ 1.197,66

$ 996,36

Envase tipo carrete

$ 823,82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

13 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.687,72
13.083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P4L08ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

13.083En existencias

Cinta cortada

$ 3.687,72

$ 2.131,43

$ 1.498,77

$ 1.261,94

Envase tipo carrete

$ 1.064,02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

9.5 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 7.223,19
4.931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4.931En existencias

Cinta cortada

$ 7.223,19

$ 4.719,60

$ 3.518,56

$ 2.943,41

Envase tipo carrete

$ 2.740,41

$ 2.571,25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 7.206,27
3.117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P4L03ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P4L03A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.117En existencias

Cinta cortada

$ 7.206,27

$ 4.719,60

$ 3.518,56

$ 2.943,41

Envase tipo carrete

$ 2.740,41

$ 2.571,25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P403ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 8.339,65
4.078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4.078En existencias

Cinta cortada

$ 8.339,65

$ 5.463,91

$ 4.076,79

$ 3.400,14

Envase tipo carrete

$ 3.163,32

$ 2.960,32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 8.491,90
1.801En existencias
2.000Se espera el 3/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1.801En existencias

2.000Se espera el 3/9/2026

Cinta cortada

$ 8.491,90

$ 5.565,41

$ 4.144,45

$ 3.467,81

Envase tipo carrete

$ 3.214,06

$ 3.027,99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P413ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.383,23
3.544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P413ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P413ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.544En existencias

Cinta cortada

$ 3.383,23

$ 2.131,43

$ 1.402,35

$ 1.113,08

Envase tipo carrete

$ 903,32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.586,22
10.547En existencias
12.500Se espera el 15/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P4L11AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

10.547En existencias

12.500Se espera el 15/7/2026

Cinta cortada

$ 3.586,22

$ 2.249,85

$ 1.483,54

$ 1.177,36

Envase tipo carrete

$ 955,76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

12.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.670,80
3.116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.116En existencias

Cinta cortada

$ 3.670,80

$ 2.334,43

$ 1.574,89

$ 1.277,17

Envase tipo carrete

$ 1.069,10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 3.856,88
13.213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80P03P4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80P03P4L07AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

13.213En existencias

Cinta cortada

$ 3.856,88

$ 2.435,92

$ 1.651,01

$ 1.338,07

Envase tipo carrete

$ 1.119,85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

8.7 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 5.277,83
2.141En existencias
2.500Se espera el 18/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P404ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2.141En existencias

2.500Se espera el 18/2/2027

Cinta cortada

$ 5.277,83

$ 3.417,06

$ 2.351,34

$ 1.962,27

$ 1.826,94

Envase tipo carrete

$ 1.725,45

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 5.277,83
6.107En existencias
10.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

6.107En existencias

10.000En pedido

Cinta cortada

$ 5.277,83

$ 3.417,06

$ 2.351,34

$ 1.962,27

$ 1.826,94

Envase tipo carrete

$ 1.725,45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.1 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 5.328,58
4.238En existencias
2.500Se espera el 16/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4.238En existencias

2.500Se espera el 16/7/2026

Cinta cortada

$ 5.328,58

$ 3.433,97

$ 2.351,34

$ 1.911,52

Envase tipo carrete

$ 1.708,53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 4.956,43
3.659En existencias
7.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.659En existencias

7.500En pedido

Cinta cortada

$ 4.956,43

$ 3.095,65

$ 2.283,68

$ 1.877,69

Envase tipo carrete

$ 1.627,33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 6.326,63
1.749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1.749En existencias

Cinta cortada

$ 6.326,63

$ 4.110,62

$ 2.875,74

$ 2.419,01

Envase tipo carrete

$ 2.232,93

$ 2.114,52

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte