Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ018N04LS6ATMA1
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SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ021N04LS6ATMA1
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40 A

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- 20 V, 20 V

2.3 V

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381 A

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BSZ063N04LS6ATMA1
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TSDSON-FL-8

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1 Channel

40 V

40 A

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40 V

100 A

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BSC022N04LS6ATMA1
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40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

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BSC059N04LS6ATMA1
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20.000Se espera el 17/12/2026

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