Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low R_DSon and low gate charge. These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN5R0-30YL,115
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PSMN5R0-30YL,115

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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

91 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN2R0-30YL,115
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771-PSMN2R0-30YL-T/R

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Envase tipo carrete

$ 1.123,67

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Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

97 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN3R0-30YL,115
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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

45.8 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

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PSMN7R0-30YL,115
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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

76 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN1R7-30YL,115
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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

77.9 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN2R5-30YL,115
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PSMN2R5-30YL,115

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771-PSMN2R5-30YL-T/R

NRND

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$ 758,39

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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN3R5-30YL,115
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PSMN3R5-30YL,115

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771-PSMN3R5-30YL-T/R

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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

74 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN4R0-30YL,115
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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

36.6 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN6R0-30YL,115
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79 A

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- 20 V, 20 V

2.15 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

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