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R6004PND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R6004PND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6004PND3FRATL
Price: 5716.62 ARS
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-R6004PND3FRATL

Fabricante N.º:

R6004PND3FRATL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

Hoja de datos:

R6004PND3FRATL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 6.000,00)

Precio (ARS)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 5.716,62	$ 5.716,62
	$ 3.652,74	$ 36.527,40
	$ 2.866,50	$ 286.650,00
	$ 2.637,18	$ 1.318.590,00
	$ 2.391,48	$ 2.391.480,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$ 2.145,78	$ 5.364.450,00

† $ 6.000,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	65 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	39 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	44 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Alias de las piezas n.º:	R6004PND3FRA
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

R6004PND3FRA 600V N-Channel Automotive MOSFET

ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V N-Channel Automotive MOSFET is a low on-resistance MOSFET with a fast switching speed. This MOSFET from ROHM Semiconductor incorporates simple drive circuits and is AEC-Q101 qualified. The R6004PND3FRA MOSFET offers 1.8Ω drain-to-source resistance (R_DS(on)), ±4A continuous drain current (I_D), and 65W power dissipation (P_D). This MOSFET is ideal for switching power supplies.