High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Resultados: 7
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Tecnología
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Hoja de datos
7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Hoja de datos
3Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si