RD3S100AAFRATL
Ver especificaciones del producto
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
En existencias: 2.856
-
Existencias:
-
2.856 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (ARS)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $ 5.962,32 | $ 5.962,32 | |
| $ 3.914,82 | $ 39.148,20 | |
| $ 2.735,46 | $ 273.546,00 | |
| $ 2.391,48 | $ 1.195.740,00 | |
| $ 2.194,92 | $ 2.194.920,00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| $ 2.014,74 | $ 5.036.850,00 | |
| $ 1.949,22 | $ 9.746.100,00 | |
| 25.000 | Presupuesto | |
Hoja de datos
Specification Sheets
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Argentina

ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not
intended for volume automotive production without ROHM
Semiconductors prior approval.
Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales
Representative for further assistance.
5-0617-50