T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Hoja de datos
129En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Hoja de datos
375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Hoja de datos
53En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100