CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to bridge the gap between 200V Si trench MOSFETs and 600V Si Super junction (SJ) MOSFETs. These MOSFETs deliver outstanding power density and system efficiency in 2 and 3-level using hard and soft-switching topologies. The CoolSiC™ MOSFETs feature 440V blocking voltage, 4.5V gate threshold voltage, and low RDS(ON) temperature dependency. These MOSFETs combine high robustness with ultra-low switching losses and on-state resistance. Typical applications include power Artificial Intelligence (AI), high-power SMPS for server, datacenter, and telecom rectifiers.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.600En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W CoolSiC Reel, Cut Tape