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STH13N120K5-2AG

Name: STMicroelectronics STH13N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH13N120K5-2AG
Price: 18312.84 ARS
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STH13N120K5-2AG

Fabricante N.º:

STH13N120K5-2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 6.000,00)

Precio (ARS)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 18.312,84	$ 18.312,84
	$ 14.316,12	$ 143.161,20
	$ 11.941,02	$ 1.194.102,00
	$ 10.630,62	$ 5.315.310,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$ 9.025,38	$ 9.025.380,00

† $ 6.000,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H2PAK-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	690 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	44.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	68.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	4 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STH13N120K5-2AG N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STH13N120K5-2AG N-Channel Power MOSFET features MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. This STMicroelectronics MOSFET dramatically reduces on-resistance and offers ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. The device is AEC-Q101 qualified and Zener protected.