Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000 10.863En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3 4.550En existencias
Min.: 1
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: 5.000

Infineon Technologies XMC4108Q48K64BAXUMA1
Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC4000 1.332En existencias
Min.: 1
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: 2.500

Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000 7.651En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000 3.550En existencias
1.900Se espera el 4/9/2026
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: 1.900

Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000 969En existencias
6.000En pedido
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: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 17.497En existencias
15.000Se espera el 17/12/2026
Min.: 1
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 27.995En existencias
Min.: 1
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3 9.200En existencias
15.000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 500
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS 19.757En existencias
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: 4.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 14.218En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 104.533En existencias
Min.: 1
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: 3.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg 57.926En existencias
231.000En pedido
Min.: 1
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: 3.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg 20.055En existencias
294.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS 2.134En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS 3.359En existencias
4.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 2.003En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 274En existencias
10.000Se espera el 19/8/2027
Min.: 1
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 49En existencias
10.000En pedido
Min.: 1
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 18.875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 699En existencias
5.000Se espera el 28/1/2027
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Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS 25En existencias
11.500Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 171En existencias
5.000Se espera el 17/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
17.320Se espera el 15/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
32.898Se espera el 28/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000