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SIHF080N60E-GE3

Name: Vishay SIHF080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHF080N60E-GE3
Price: 8615.88 ARS
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIHF080N60E-GE3

Fabricante N.º:

SIHF080N60E-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 14A E SERIES

Hoja de datos:

SIHF080N60E-GE3 Hoja de datos

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	$ 3.194,10	$ 15.970.500,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FP-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	35 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	96 ns
Serie:	SIHF E
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	31 ns
Peso de la unidad:	2 g

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TO-220 FULLPAK (High Voltage)

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHF080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs feature 4th generation E series technology in a TO-220 FULLPAK package. The SiHF080N60E MOSFETs offer a low figure-of-merit (FOM) R_on x Q_g and a low effective capacitance (C_o(er)). The Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs have a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge.