Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: $ 1.343,16
3.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS011N04CTWG

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863-NVMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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Hoja de datos

3.000En existencias

Cinta cortada

$ 1.343,16

$ 1.297,30

$ 918,92

$ 730,55

$ 663,39

Envase tipo carrete

$ 537,26

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: $ 1.752,66
2.970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS5D3N04CTWG

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863-NVMYS5D3N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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2.970En existencias

Cinta cortada

$ 1.752,66

$ 1.407,04

$ 981,16

$ 825,55

Envase tipo carrete

$ 684,68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: $ 769,86
11.812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS8D0N04CTWG

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863-NVMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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11.812En existencias

Cinta cortada

$ 769,86

$ 748,57

$ 699,43

Envase tipo carrete

$ 678,13

$ 610,97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $ 2.407,86
2.781En existencias
3.000Se espera el 26/6/2026

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NVMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS014N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 2.407,86

$ 1.518,43

$ 1.007,37

$ 796,07

$ 717,44

Envase tipo carrete

$ 656,84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $ 1.769,04
2.938En existencias
3.000Se espera el 26/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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Cinta cortada

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$ 992,63

$ 825,55

$ 730,55

Envase tipo carrete

$ 538,90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
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862En existencias

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NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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Cinta cortada

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$ 1.367,73

$ 905,81

$ 705,98

$ 640,46

Envase tipo carrete

$ 560,20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: $ 2.358,72
8En existencias

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NVMYS6D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS6D2N06CLTWG

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$ 2.358,72

$ 1.703,52

$ 1.223,59

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$ 899,26

Envase tipo carrete

$ 792,79

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

NVMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: $ 1.834,56
Plazo de entrega 19 Semanas

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NVMYS7D3N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS7D3N04CLTWG

onsemi

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Plazo de entrega 19 Semanas

Cinta cortada

$ 1.834,56

$ 1.333,33

$ 953,32

$ 786,24

Envase tipo carrete

$ 610,97

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: $ 3.423,42
6.000Se espera el 17/4/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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6.000Se espera el 17/4/2026

Cinta cortada

$ 3.423,42

$ 2.293,20

$ 1.619,98

$ 1.334,97

Envase tipo carrete

$ 1.082,72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: $ 2.260,44
3.000Se espera el 23/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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Hoja de datos

3.000Se espera el 23/2/2026

Cinta cortada

$ 2.260,44

$ 1.421,78

$ 941,85

$ 796,07

$ 683,05

Envase tipo carrete

$ 612,61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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