Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

FGH50T65UPD

Name: onsemi FGH50T65UPD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH50T65UPD
Price: 12465.18 ARS
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

512-FGH50T65UPD

Fabricante N.º:

FGH50T65UPD

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs 650 V 100 A 240 W

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

FGH50T65UPD Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi FGH50T65UPD

En existencias: 81

Existencias:: 81 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$ -,--

Precio ext.:

$ -,--

Est. Tarifa:

Precio (ARS)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$ 12.465,18	$ 12.465,18
	$ 7.223,58	$ 72.235,80
	$ 6.060,60	$ 727.272,00
	$ 6.027,84	$ 3.074.198,40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	100 A
Dp - Disipación de potencia :	340 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FGH50T65UPD
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6,390 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FGH50T65UPD Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs

onsemi FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs use innovative field stop trench IGBT technology. These IGBTs offer optimum performance. The FGHx0T65 IGBTs feature positive temperature coefficient for easy parallel operating, high current capability, high input impedance, and tightened parameter distribution. Typical applications include solar inverters, UPS, welders, and digital power generators that require low conduction and switching losses.