Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 638,82
314.003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1563AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 3.521,70
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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.7 mOhms, 22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38.3 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1539EH-T1_GE3

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78-SQ1539EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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$ 396,40

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

850 mA

210 mOhms, 788 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.6 V

1.4 nC, 1.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

15 A, 9.5 A

45 mOhms, 146 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC, 12 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3585EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3585EV-T1_GE3

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

3.57 A, 2.5 A

49 mOhms, 140 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV, 1.5 V

2.5 nC, 3.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

SQJ504EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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3.860En existencias

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SQJ504EP-T1_GE3

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78-SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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$ 992,63

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.5 mOhms, 17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V, 2.5 V

30 nC, 85 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4532AEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4532AEY-T1_GE3

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A, 5.3 A

21 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.9 nC, 7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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