Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
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4.737En existencias

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IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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$ 1.441,44

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Envase tipo carrete

$ 316,13

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DPAK-3 (TO-252-3)

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6.6 A

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- 20 V, 20 V

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53 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
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8.883En existencias

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IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

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8.883En existencias

Cinta cortada

$ 2.850,12

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$ 1.307,12

$ 1.035,22

Envase tipo carrete

$ 825,55

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R380CEAUMA1

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726-IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

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$ 2.309,58

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$ 1.025,39

$ 823,91

$ 751,84

Envase tipo carrete

$ 588,04

MouseReel Disponible

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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500 V

14.1 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

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IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
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8.838En existencias

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IPD50R500CEAUMA1

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726-IPD50R500CEAUMA1

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$ 542,18

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DPAK-3 (TO-252-3)

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57 W

Enhancement

CoolMOS

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IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R650CEAUMA1

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726-IPD50R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

$ 471,74

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IPA50R800CE
Infineon Technologies
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IPA50R800CE

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726-IPA50R800CE

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1 Channel

500 V

7.6 A

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+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
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IPA50R800CEXKSA2

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Infineon Technologies

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500 V

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26.4 W

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IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
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5.306En existencias

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IPN50R1K4CEATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $ 720,72
3.909En existencias
9.000Se espera el 2/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

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3.909En existencias

9.000Se espera el 2/4/2026

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$ 720,72

$ 476,66

$ 334,15

$ 312,86

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$ 226,04

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SOT-223-3

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500 V

2.4 A

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5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: $ 3.407,04
249En existencias

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IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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$ 3.407,04

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

24.8 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

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+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.160,52
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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793En existencias

$ 4.160,52

$ 2.047,50

$ 1.850,94

$ 1.510,24

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

24.8 A

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47.2 nC

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

IPP50R380CE
Infineon Technologies
1: $ 1.932,84
684En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R380CE

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

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684En existencias

$ 1.932,84

$ 1.354,63

$ 1.054,87

$ 894,35

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 2.948,40
1.393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

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1.393En existencias

$ 2.948,40

$ 1.321,87

$ 1.261,26

$ 1.144,96

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: $ 2.588,04
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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918En existencias

$ 2.588,04

$ 1.638,00

$ 1.092,55

$ 894,35

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 2.653,56
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

935En existencias

$ 2.653,56

$ 1.429,97

$ 1.144,96

$ 912,37

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 2.325,96
952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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952En existencias

$ 2.325,96

$ 1.099,10

$ 977,89

$ 764,95

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 1.883,70
1.048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1.048En existencias

$ 1.883,70

$ 879,61

$ 779,69

$ 650,29

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 884,52
338En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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338En existencias

Cinta cortada

$ 884,52

$ 509,42

$ 488,12

$ 360,36

Envase tipo carrete

$ 276,82

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 720,72
1.475En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1.475En existencias

Cinta cortada

$ 720,72

$ 501,23

$ 316,13

$ 314,50

Envase tipo carrete

$ 244,06

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 2.457,00
198En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R380CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R380CEXKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

Hoja de datos

198En existencias

$ 2.457,00

$ 1.166,26

$ 1.084,36

$ 848,48

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 4.176,90
888Se espera el 9/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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888Se espera el 9/4/2026

$ 4.176,90

$ 1.867,32

$ 1.834,56

$ 1.528,25

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

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