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SI7252ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7252ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7252ADP-T1-GE3
Price: 3882.06 ARS
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SI7252ADP-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI7252ADP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A

Hoja de datos:

SI7252ADP-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 6.000,00)

Precio (ARS)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 3.882,06	$ 3.882,06
	$ 2.506,14	$ 25.061,40
	$ 1.703,52	$ 170.352,00
	$ 1.359,54	$ 679.770,00
	$ 1.259,62	$ 1.259.620,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$ 1.110,56	$ 3.331.680,00
	$ 1.084,36	$ 6.506.160,00

† $ 6.000,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	28.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	18.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	17.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	33.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	22 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	506,600 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si72 MOSFETs

Vishay Si72 MOSFETs feature TrenchFET® power MOSFET technology for enhanced performance. The Vishay Si72 MOSFETs are Encased in a thermally enhanced PowerPAK® package. The devices ensure efficient heat dissipation and are PWM optimized, providing precise control for various applications. With 100% Rg and UIS testing, the devices' reliability is thoroughly validated.

Si7252ADP Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si7252ADP Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET provides an optimized PWM designed for system power DC/DC applications. The Si7252ADP is 100% R_g and UIS tested. The Vishay / Siliconix Si7252ADP Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET is available in a PowerPAK^® SO-8 Dual package.