PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. 

Resultados: 64
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A
Hoja de datos
29.496En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 100A
Hoja de datos
17.920En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60.3 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A
Hoja de datos
1.820En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 110.2 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
10.736En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 91 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 29 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 32 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
1.021En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 89 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R3-80SSF/SOT1235/LFPAK88
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75En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 80 V 335 A 1.2 mOhms 20 V 3 V 164 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN034-100BS/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
3.943En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 32 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.8 nC - 55 C + 175 C 86 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
8.382En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 90 V 20 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
8.321En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-25YLC/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.501En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.43 V 83 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
9.200En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 87 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R4-30BLE/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
90En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 2.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 81 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
674En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 64 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.440En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A
Hoja de datos
4.082En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89.8 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN0R9-25YLC/SOT669/LFPAK
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2.417En existencias
10.000En pedido
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 110 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 95A
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11.948En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 95 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 19.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R6-100BS/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
1.561En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
12.942En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.58 V 16 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R1-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.821En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-30YLC/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
5.456En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 11.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 10.3 nC - 55 C + 175 C 29 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-30YLC/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
8.067En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 16.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100BS/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
119En existencias
4.800Se espera el 16/2/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 57 A 28.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.477En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 16.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel