Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

QS5U12TR
ROHM Semiconductor
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QS5U12TR

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755-QS5U12TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

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SMD/SMT

SOT-25T-2

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

QS5U16TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.826,94
2.942En existencias

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QS5U16TR

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755-QS5U16TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

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Envase tipo carrete

$ 402,60

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SMD/SMT

TSMT-5

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.8 nC

- 40 C

+ 125 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 2A

QS5U28TR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.046,85
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QS5U28TR

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755-QS5U28TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 2A

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$ 2.046,85

$ 952,38

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$ 652,96

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$ 512,56

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1 Channel

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2 A

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US5U1TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.843,86
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US5U1TR

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755-US5U1TR

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$ 397,53

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N-Channel, SBD

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30 V

1.5 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V; 2A; P-Channel Single

QS5U33TR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.013,02
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QS5U33TR

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755-QS5U33TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V; 2A; P-Channel Single

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$ 2.013,02

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$ 642,81

Envase tipo carrete

$ 504,10

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SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.4 nC

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+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V2.5A Load Switching

QS5U36TR
ROHM Semiconductor
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QS5U36TR

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755-QS5U36TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V2.5A Load Switching

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3.710En existencias

Cinta cortada

$ 1.607,03

$ 732,47

$ 646,20

$ 495,64

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$ 368,77

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SMD/SMT

SOT-25T-5

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1 Channel

20 V

2.5 A

- 10 V, 10 V

1.3 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 1A TSMT6

QS6U24TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.759,28
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QS6U24TR

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755-QS6U24TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 1A TSMT6

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Cinta cortada

$ 1.759,28

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$ 718,94

$ 553,16

Envase tipo carrete

$ 402,60

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-457T-6

P-Channel

1 Channel

30 V

1 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1A

US5U30TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.894,61
3.052En existencias

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US5U30TR

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755-US5U30TR

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$ 1.894,61

$ 874,56

$ 774,76

$ 598,83

Envase tipo carrete

$ 421,21

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SOT-353T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1 A

390 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U27TR
ROHM Semiconductor
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QS5U27TR

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755-QS5U27TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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$ 2.013,02

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$ 830,58

$ 642,81

Envase tipo carrete

$ 504,10

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SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

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- 55 C

+ 150 C

1.25 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

QS5U34TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.471,70
2.980En existencias

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QS5U34TR

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755-QS5U34TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

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$ 1.471,70

$ 918,55

$ 595,45

$ 455,04

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$ 328,17

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SMD/SMT

SOT-25T-5

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

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1.3 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

QS5U17TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.928,44
8.911Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
QS5U17TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U17TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

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8.911Se espera el 19/10/2026

Cinta cortada

$ 1.928,44

$ 889,79

$ 788,29

$ 608,98

Envase tipo carrete

$ 477,03

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SMD/SMT

SOT-25T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

QS5U13TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.826,94
3.000Se espera el 15/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
QS5U13TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U13TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

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3.000Se espera el 15/9/2026

Cinta cortada

$ 1.826,94

$ 1.128,31

$ 742,62

$ 583,61

Envase tipo carrete

$ 402,60

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-25T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U21TR
ROHM Semiconductor
3.000: $ 483,80
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QS5U21TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U21TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$ 483,80

$ 482,11

$ 471,96

$ 451,66

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U26TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.894,61
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QS5U26TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U26TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

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$ 1.894,61

$ 1.172,29

$ 771,38

$ 605,60

$ 532,86

Envase tipo carrete

$ 390,76

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

US5U2TR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.945,36
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U2TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U2TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$ 1.945,36

$ 1.201,05

$ 789,98

$ 620,82

Envase tipo carrete

$ 429,67

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-353T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

US5U35TR
ROHM Semiconductor
3.000: $ 493,95
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U35TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U35TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$ 493,95

$ 487,18

$ 473,65

$ 461,81

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

SOT-353T-5

P-Channel

1 Channel

45 V

700 mA

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel

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