Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
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Min.: 1
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

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141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

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167 W

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CoolMOS

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOF-8

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1 Channel

600 V

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245 W

Enhancement

CoolMOS

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Envase tipo carrete

$ 1.615,07

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Carrete: 1.700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

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- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPT60R028G7XTMA1
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

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IPDD60R150G7XTMA1
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$ 2.244,06

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Mult.: 1

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SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

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3 V

23 nC

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+ 150 C

95 W

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Reel, Cut Tape

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IPDD60R125G7XTMA1
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1: $ 3.488,94
665En existencias

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Mult.: 1

Carrete: 1.700

SMD/SMT

HDSOP-10

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1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

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- 55 C

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120 W

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IPDD60R050G7XTMA1
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1: $ 14.971,32
21En existencias

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IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

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600 V

47 A

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278 W

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1: $ 7.059,78
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NRND

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NRND

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SMD/SMT

HSOF-8

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20 A

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IPDD60R102G7XTMA1
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IPDD60R102G7XTMA1

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726-IPDD60R102G7XTM1

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Carrete: 1.700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

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