Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
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BSZ065N03LSATMA1

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726-BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

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49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

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+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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$ 1.380,83

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

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89 W

Enhancement

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BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
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726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

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1 Channel

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40 A

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69 W

Enhancement

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQDH29NE2LM5CGATMA1

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1 Channel

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Enhancement

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IQDH35N03LM5CGATMA1
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5.000Se espera el 6/3/2026

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278 W

Enhancement

OptiMOS

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
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SMD/SMT

WHTFN-9

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IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon Technologies
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726-IQE006NE2LM5SCAT

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1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

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82 nC

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BSC011N03LSATMA1
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TDSON-8

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230 A

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BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $ 786,24
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BSC0504NSIATMA1

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

30 V

72 A

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30 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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7.552En existencias
2.200Se espera el 2/3/2026

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BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

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$ 470,11

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TDSON-8

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69 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.194,10
7.273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LSATMA1

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$ 3.194,10

$ 2.031,12

$ 1.380,83

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$ 835,38

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.670,76
13.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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13.719En existencias

Cinta cortada

$ 1.670,76

$ 1.072,89

$ 724,00

$ 651,92

Envase tipo carrete

$ 471,74

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Mult.: 1

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.785,42
19.860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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$ 1.785,42

$ 933,66

$ 719,08

$ 563,47

Envase tipo carrete

$ 406,22

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.733,82
5.123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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$ 3.063,06

$ 2.178,54

$ 1.834,56

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$ 1.472,56

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

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