RV8L002SN & RV8C010UN Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor RV8L002SN and RV8C010UN Small Signal MOSFETs feature a leadless ultra-small package and exposed drain pad for excellent thermal conduction. The RV8L002SN and RV8C010UN MOSFETs also offer very fast switching, a 2.5V ultra-low voltage drive, and ESD protection up to 2kV.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
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Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
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8.000Se espera el 22/4/2026
Min.: 1
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Carrete: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape