Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: $ 15.135,12
432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

432En existencias

$ 15.135,12

$ 10.647,00

$ 8.615,88

$ 7.649,46

$ 6.781,32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

TK125V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 13.284,18
7.156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK125V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK125V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

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7.156En existencias

Cinta cortada

$ 13.284,18

$ 9.352,98

$ 7.567,56

$ 6.715,80

$ 5.945,94

Envase tipo carrete

$ 5.945,94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

TK170V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 11.875,50
4.720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK170V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK170V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

4.720En existencias

Cinta cortada

$ 11.875,50

$ 7.780,50

$ 5.733,00

$ 5.094,18

$ 4.504,50

Envase tipo carrete

$ 4.504,50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

TK155A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 12.416,04
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK155A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK155A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

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76En existencias

$ 12.416,04

$ 8.304,66

$ 6.666,66

$ 5.929,56

$ 5.257,98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

155 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

TK190A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 11.875,50
96En existencias

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TK190A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK190A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

96En existencias

$ 11.875,50

$ 7.780,50

$ 5.733,00

$ 5.094,18

$ 4.504,50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 15.053,22
N/A

N.º de artículo del Fabricante
TK110A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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N/A

$ 15.053,22

$ 10.286,64

$ 8.484,84

$ 7.551,18

$ 7.059,78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

TK210V65Z,LQ
Toshiba
2.500: $ 3.914,82
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK210V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK210V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

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Envase tipo carrete

$ 3.914,82

Min.: 2.500
Mult.: 2.500

: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

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