Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

TK125V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 10.925,46
7.281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK125V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK125V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

7.281En existencias

Cinta cortada

$ 10.925,46

$ 7.387,38

$ 5.503,68

$ 5.487,30

Envase tipo carrete

$ 4.471,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

TK170V65Z,LQ
Toshiba
1: $ 7.682,22
4.720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK170V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK170V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

4.720En existencias

Cinta cortada

$ 7.682,22

$ 5.192,46

$ 4.226,04

$ 4.111,38

$ 3.734,64

Envase tipo carrete

$ 3.177,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: $ 12.301,38
432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

432En existencias

$ 12.301,38

$ 7.141,68

$ 7.125,30

$ 5.372,64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

TK155A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 7.633,08
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK155A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK155A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

76En existencias

$ 7.633,08

$ 3.996,72

$ 3.554,46

$ 2.997,54

$ 2.866,50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

155 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

TK190A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 6.879,60
96En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK190A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK190A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

96En existencias

$ 6.879,60

$ 3.538,08

$ 3.112,20

$ 2.620,80

$ 2.457,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110A65Z,S4X
Toshiba
1: $ 9.582,30
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK110A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

$ 9.582,30

$ 5.094,18

$ 4.586,40

$ 3.865,68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

TK210V65Z,LQ
Toshiba
2.500: $ 2.882,88
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK210V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK210V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

$ 2.882,88

Min.: 2.500
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

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