Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.424,24
8.765En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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Envase tipo carrete

$ 588,04

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.948,40
1.780En existencias
NRND

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IPD80R1K4CEATMA1

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726-IPD80R1K4CEATMA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

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1.780En existencias

Cinta cortada

$ 2.948,40

$ 1.883,70

$ 1.257,98

$ 994,27

Envase tipo carrete

$ 774,77

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Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3.9 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 3.636,36
648En existencias
NRND

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IPA80R1K0CEXKSA2

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726-IPA80R1K0CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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648En existencias

$ 3.636,36

$ 2.129,40

$ 1.703,52

$ 1.436,53

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 6.486,48
233En existencias
NRND

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IPA80R310CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R310CEXKSA2

NRND

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$ 6.486,48

$ 3.669,12

$ 3.308,76

$ 2.194,92

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16.7 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

91 nC

- 40 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 5.028,66
239En existencias
NRND

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IPA80R460CEXKSA2

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726-IPA80R460CEXKSA2

NRND

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239En existencias

$ 5.028,66

$ 2.571,66

$ 2.309,58

$ 1.850,94

$ 1.638,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.8 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $ 3.292,38
2.102En existencias
NRND

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IPD80R1K0CEATMA1

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726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

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2.102En existencias

Cinta cortada

$ 3.292,38

$ 2.113,02

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$ 1.131,86

Envase tipo carrete

$ 905,81

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 3.095,82
121En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

121En existencias

$ 3.095,82

$ 1.801,80

$ 1.436,53

$ 1.056,51

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3.9 A

1.22 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: $ 737,10
2.336En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2.336En existencias

Cinta cortada

$ 737,10

$ 684,68

$ 484,85

$ 440,62

Envase tipo carrete

$ 347,26

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

5.4 A

3.51 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $ 4.357,08
107En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R650CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R650CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

107En existencias

$ 4.357,08

$ 2.162,16

$ 1.965,60

$ 1.570,84

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $ 1.769,04
1.186En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1.186En existencias

Cinta cortada

$ 1.769,04

$ 1.107,29

$ 727,27

$ 561,83

Envase tipo carrete

$ 429,16

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

5.4 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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