Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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Si
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IPG20N04S4-12
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9.144 En existencias
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
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18 nC
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AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
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726-IPG20N04S4L-07
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TDSON-8
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AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N06S4L-26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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$ 678,13
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Mult.: 1
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TDSON-8
N-Channel
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60 V
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26 mOhms
- 16 V, 16 V
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+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel