NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate. 

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Hoja de datos
827En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Hoja de datos
819En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
Hoja de datos
205En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC