Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi
1: $ 6.863,22
10.243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C420NLWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Hoja de datos

10.243En existencias

Cinta cortada

$ 6.863,22

$ 4.471,74

$ 3.423,42

$ 3.161,34

$ 2.948,40

Envase tipo carrete

$ 2.948,40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: $ 6.945,12
1.497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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1.497En existencias

Cinta cortada

$ 6.945,12

$ 4.553,64

$ 3.243,24

$ 2.948,40

$ 2.751,84

Envase tipo carrete

$ 2.751,84

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ1
onsemi
1: $ 46.339,02
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DZ1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DZ1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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Hoja de datos

67En existencias

$ 46.339,02

$ 42.588,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ2
onsemi
1: $ 45.045,00
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DZ2

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DZ2

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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144En existencias

$ 45.045,00

$ 40.737,06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

NVBLS0D5N04CTXG
onsemi
1: $ 15.790,32
874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS0D5N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS0D5N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

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874En existencias

Cinta cortada

$ 15.790,32

$ 10.958,22

$ 8.894,34

$ 8.353,80

Envase tipo carrete

$ 8.304,66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

198.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: $ 6.945,12
8.546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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8.546En existencias

Cinta cortada

$ 6.945,12

$ 4.586,40

$ 3.243,24

$ 2.948,40

$ 2.751,84

Envase tipo carrete

$ 2.751,84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS2
onsemi
1: $ 57.428,28
48En existencias
72Se espera el 3/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS2

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS2

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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48En existencias

72Se espera el 3/4/2026

$ 57.428,28

$ 41.605,20

$ 40.737,06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

NVBLS4D0N15MC
onsemi
1: $ 19.295,64
162En existencias
2.000Se espera el 10/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS4D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS4D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

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Hoja de datos

162En existencias

2.000Se espera el 10/7/2026

Cinta cortada

$ 19.295,64

$ 14.987,70

$ 12.497,94

$ 11.138,40

$ 10.401,30

Envase tipo carrete

$ 10.401,30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

187 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

90.4 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: $ 7.321,86
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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Hoja de datos

749En existencias

Cinta cortada

$ 7.321,86

$ 4.848,48

$ 3.423,42

$ 3.161,34

$ 2.948,40

Envase tipo carrete

$ 2.948,40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS1
onsemi
72: $ 43.423,38
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

$ 43.423,38

$ 42.588,00

Min.: 72
Mult.: 72

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

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