Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Hoja de datos
24.136En existencias
Cinta cortada
$ 3.880,18
$ 2.488,19
$ 1.679,09
$ 1.338,05
$ 1.226,69
Envase tipo carrete
$ 1.118,81
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
5.797En existencias
$ 14.180,93
$ 8.212,76
$ 6.890,37
$ 6.559,77
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
2.780En existencias
$ 10.753,15
$ 6.089,97
$ 5.063,37
$ 4.837,18
$ 4.541,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
2.967En existencias
$ 10.300,75
$ 6.089,97
$ 5.063,37
$ 4.819,78
$ 4.541,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
2.773En existencias
$ 13.102,14
$ 8.212,76
$ 6.890,37
$ 6.559,77
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
Hoja de datos
3.011En existencias
$ 9.569,95
$ 5.724,57
$ 4.576,18
$ 4.019,38
$ 3.914,98
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Hoja de datos
2.979En existencias
1.230Se espera el 8/1/2027
$ 11.762,34
$ 7.029,57
$ 5.863,77
$ 5.045,98
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
Hoja de datos
2.999Se espera el 11/2/2027
$ 8.926,16
$ 4.976,38
$ 4.106,38
$ 3.897,58
$ 3.532,18
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube