Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified silicon N-channel MOSFETs. Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs offer low drain-source on-resistance and are ideal for use in high-speed switching applications as well as automotive DC-DC converters and power management switches.

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20

SSM6N62TU,LXHF
Toshiba
1: $ 1.195,74
2.723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N62TU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N62TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20

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$ 475,02

$ 365,27

Envase tipo carrete

$ 255,53

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

UF6-6

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

456 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W

SSM3K376R,LXHF
Toshiba
1: $ 769,86
5.400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W

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Cinta cortada

$ 769,86

$ 525,80

$ 337,43

$ 252,25

Envase tipo carrete

$ 185,09

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2

SSM3K62TU,LXHF
Toshiba
1: $ 753,48
2.212En existencias
3.000Se espera el 16/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2

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3.000Se espera el 16/2/2026

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$ 753,48

$ 525,80

$ 337,43

$ 252,25

Envase tipo carrete

$ 162,16

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

57 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss

SSM3K7002KFU,LXH
Toshiba
1: $ 556,92
8.951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KFU,LXH

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFULXH

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss

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$ 339,07

$ 212,94

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$ 119,57

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

USM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.75 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

390 pC

+ 150 C

700 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected

SSM6N7002KFU,LXH
Toshiba
1: $ 573,30
2.554En existencias
3.000Se espera el 20/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002KFU,LXH

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002KFULXH

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

US6-6

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

390 pC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min

SSM3K7002KF,LXHF
Toshiba
1: $ 556,92
19.258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KF,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min

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$ 339,07

$ 212,94

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$ 113,02

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

S-Mini-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.75 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

+ 150 C

900 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F

SSM6L820R,LXHF
Toshiba
1: $ 1.556,10
5.998Se espera el 15/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L820R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L820RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F

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5.998Se espera el 15/6/2026

Cinta cortada

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$ 630,63

$ 484,85

Envase tipo carrete

$ 368,55

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms, 45 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

6.7 nC

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416

SSM3K72KFS,LXHF
Toshiba
1: $ 491,40
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KFS,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KFSLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416

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Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

Cinta cortada

$ 491,40

$ 303,03

$ 190,01

$ 140,87

Envase tipo carrete

$ 99,92

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SSM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.65 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

390 pC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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