Diodos Schottky de SiC – Mouser Argentina

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Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

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Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
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800Se espera el 14/4/2026
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SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

12 A

650 V

1.3 V

72 A

84 uA

-55 C

+ 175 C

VS-4C12ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C15ET12S2L-M3
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$ 4.570,02

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SMD/SMT

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VS-4C15ET12S2L-M3

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VS-4C15ET12S2LHM3
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SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

15 A

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- 55 C

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VS-4C15ET12S2LHM3

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16 A

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+ 175 C

VS-4C16ET07S2L-M3

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VS-4C16ET07S2LHM3
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SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

16 A

650 V

1.3 V

101 A

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- 55 C

+ 175 C

VS-4C16ET07S2LHM3

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VS-4C20ET07S2L-M3
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125 A

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VS-4C20ET07S2LHM3
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1.33 V

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Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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- 55 C

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VS-4C30ET07S2LHM3
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SMD/SMT

TO-263AB-2

SIngle

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1.33 V

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VS-4C30ET07S2LHM3

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VS-4C30ET12S2L-M3
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$ 8.386,56

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Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C30ET12S2LHM3
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$ 10.401,30

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Mult.: 1

TO-263AB-2

Single

30 A

1.2 kV

1.36 V

144 A

550 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C30ET12S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

6 A

650 V

1.3 V

39 A

35 uA

- 55 C

+ 175 C

4C06ET07S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: $ 5.733,00
800Se espera el 6/3/2026
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VS-4C06ET07S2LHM3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C06ET07S2LHM3

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800Se espera el 6/3/2026

$ 5.733,00

$ 3.734,64

$ 2.932,02

$ 2.457,00

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

6 A

650 V

1.3 V

39 A

35 uA

- 55 C

+ 175 C

4C06ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: $ 5.356,26
780Se espera el 14/4/2026
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N.º de artículo del Fabricante
VS-4C08ET07S2L-M3

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78-VS-4C08ET07S2L-M3

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780Se espera el 14/4/2026

$ 5.356,26

$ 3.488,94

$ 2.669,94

$ 2.244,06

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SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

8 A

650 V

1.3 V

51 A

41 uA

- 55 C

+ 175 C

4C08ET07S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: $ 6.552,00
800Se espera el 14/4/2026
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VS-4C08ET07S2LHM3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C08ET07S2LHM3

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Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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800Se espera el 14/4/2026

$ 6.552,00

$ 4.291,56

$ 3.161,34

$ 2.817,36

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

8 A

650 V

1.3 V

51 A

41 uA

- 55 C

+ 175 C

4C08ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C12ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: $ 6.453,72
800Se espera el 14/4/2026
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N.º de artículo del Fabricante
VS-4C12ET07S2L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C12ET07S2L-M3

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Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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800Se espera el 14/4/2026

$ 6.453,72

$ 4.226,04

$ 3.112,20

$ 2.768,22

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

12 A

650 V

1.3 V

72 A

84 uA

-55 C

+ 175 C

VS-4C12ET07S2L-M3

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