PXP0 P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia PXP0 P-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) that utilize Trench MOSFET technology. The PXP0 P-Channel comes in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFETs are logic-level compatible and use Trench MOSFET technology. Typical applications include high-side load switch, battery management, DC to DC conversion, and switching circuits.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP012-30QL/SOT8002/MLPAK33
Hoja de datos
6.947Se espera el 19/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.2 A 12.8 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
Hoja de datos
6.003En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.8 A 22 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 24.6 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel