OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

Todos los resultados (16)

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
Hoja de datos
798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
Hoja de datos
835En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
6.352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
696En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
5.775En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
102En existencias
5.000Se espera el 3/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
18En existencias
5.000Se espera el 22/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
Hoja de datos
500Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4.740Se espera el 26/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
3.976Se espera el 29/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
1.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
4.000Se espera el 8/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
1.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000