TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.

Resultados: 16
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
998En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
1.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.36 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
1.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
1.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.34 V 88 A 20 uA Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 30A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 650 V 1.36 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 40A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
273En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.33 V 140 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
848En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
977En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
1.000En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.65 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
997En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
985En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode
Hoja de datos
200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.33 V 68 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube