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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Hoja de datos
5.410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape