Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD19N10LTM
onsemi
1: $ 2.604,42
30.379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD19N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD19N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

30.379En existencias

Cinta cortada

$ 2.604,42

$ 1.654,38

$ 1.095,82

$ 863,23

$ 786,24

Envase tipo carrete

$ 714,17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

15.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

FQD18N20V2TM
onsemi
1: $ 3.177,72
22.882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD18N20V2TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD18N20V2TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

Hoja de datos

22.882En existencias

Cinta cortada

$ 3.177,72

$ 2.031,12

$ 1.369,37

$ 1.085,99

$ 994,27

Envase tipo carrete

$ 945,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

15 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM
onsemi
1: $ 1.965,60
17.675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

17.675En existencias

Cinta cortada

$ 1.965,60

$ 1.241,60

$ 817,36

$ 635,54

Envase tipo carrete

$ 511,06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

FDMC2523P
onsemi
1: $ 2.866,50
12.191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC2523P

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

Hoja de datos

12.191En existencias

Cinta cortada

$ 2.866,50

$ 2.194,92

$ 1.600,33

$ 1.313,68

Envase tipo carrete

$ 1.087,63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

Power-33-8

P-Channel

1 Channel

150 V

3 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQB34P10TM
onsemi
1: $ 6.420,96
4.677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQB34P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB34P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

4.677En existencias

Cinta cortada

$ 6.420,96

$ 4.226,04

$ 2.964,78

$ 2.473,38

Envase tipo carrete

$ 2.473,38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

33.5 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

FQD2N60CTM
onsemi
1: $ 2.063,88
918En existencias
2.500Se espera el 27/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
FQD2N60CTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD2N60CTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

Hoja de datos

918En existencias

2.500Se espera el 27/3/2026

Cinta cortada

$ 2.063,88

$ 1.321,87

$ 871,42

$ 694,51

Envase tipo carrete

$ 553,64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.9 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

FQD7P20TM
onsemi
1: $ 2.751,84
51En existencias
4.500Se espera el 18/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
FQD7P20TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD7P20TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

Hoja de datos

51En existencias

4.500Se espera el 18/2/2026

Cinta cortada

$ 2.751,84

$ 1.687,14

$ 1.174,45

$ 928,75

$ 858,31

Envase tipo carrete

$ 800,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

5.7 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

FQPF19N20C
onsemi
1: $ 3.685,50
1.708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQPF19N20C

N.º de artículo de Mouser
512-FQPF19N20C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

Hoja de datos

1.708En existencias

$ 3.685,50

$ 1.654,38

$ 1.508,60

$ 1.313,68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

19 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

FQAF11N90C
onsemi
1: $ 9.205,56
54En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQAF11N90C

N.º de artículo de Mouser
512-FQAF11N90C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

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Hoja de datos

54En existencias

$ 9.205,56

$ 5.192,46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7.2 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

QFET

Tube

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