SSM6K51xNU Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6K51xNU Silicon N-Channel MOSFETs are part of Toshiba's extensive portfolio of MOSFETs in various circuit configurations and packages. The devices feature high speed, high performance, low loss, low on-resistance, small packaging, and more. The Toshiba SSM6K51xNU MOSFETs are ideal for power management switches and feature high-speed switching. These devices have a 1.5V drive with low drain-source on-resistance.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A 5.276En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A 3.702En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4.165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel